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Inventory:10000 Min Order：10
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  • Model：2n7002s
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：07+ 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：702S
  • Package：SOT-363/SC70-6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		60V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		20V
最大漏极电流Id
Drain Current		250mA/0.25A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		2.5Ω@ VGS = 4.0 V, ID = 100 mA
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		1~2.5V
耗散功率Pd
Power Dissipation		350mW/0.35W
Description & ApplicationsDual N-Channel Enhancement MOS FET APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. FEATURE * Small surface mounting type * High density cell design for low RDS(ON). * Suitable for high packing density. * Rugged and reliable. * High saturation current capability. * Voltage controlled small signal switch.
描述与应用双N沟道增强MOS FET 应用 *伺服电机控制。 *功率MOSFET栅极驱动器。 *其他开关应用。 特写 *小型表面贴装型 *高密度电池设计的低RDS（ON）。 *适用于高堆积密度。 *坚固，可靠。 *高饱和电流能力。 *电压小信号开关控制。

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* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2n7002s
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