集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | −20V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | -16V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | -2A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 80MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 150~300 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage | -170mV/-0.17V |
耗散功率Pc
PoWer Dissipation | 500mW/0.5W |
| Description & Applications | silicon PNP epitaxial type high hFE； high collector current； small collector to emitter saturation voltage； high collector dissipation； small packing for mounting |
| 描述与应用 | 硅PNP外延型 HFE高; 高集电极电流; 小集电极到发射极饱和电压; 高集电极耗散; 小包装安装 |