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Inventory:400 Min Order：10
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  • Model：2SA1416T
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：ABT
  • Package：SOT-89/PCP/SC-62

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		-120V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		−100V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		-1A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		120MHz
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		200~400
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage		−200mV/-0.2V
耗散功率Pc
PoWer Dissipation		500mW/0.5W
Description & ApplicationsSilicon PNP Epitaxial Features · Adoption of FBET, MBIT processes. · High breakdown voltage and large current capacity. · Fast switching time. · Very small size making it easy to provide highdensity, small-sized hybrid ICs.
描述与应用硅PNP外延型的 特点  ·采用FBET，MBIT过程。  ·高击穿电压和大电流的能力。  ·快速开关时间。  ·体积非常小，因此很容易提供高密度，小尺寸的混合集成电路。

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SA1416T
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