集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | -50V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | −50V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | −100mA/-0.1A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 250MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 50 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage | -100mV/-0.1V |
耗散功率Pc
PoWer Dissipation | 150mW/0.15W |
| Description & Applications | PNP/NPN epitaxial planar silicon transistors contains bias resistance （R1=2.2KΩ，R2=10 kΩ） |
| 描述与应用 | PNP/ NPN外延平面 硅晶体管 包含偏置电阻（R1=2.2KΩ，R 2= 10kΩ） |