集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | -400V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | -400V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | −100mA/-0.1A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 12MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 82~180 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage | −200mV/-0.2V |
耗散功率Pc
PoWer Dissipation | 500mW/0.5W |
| Description & Applications | High-voltage Switching Transistor Features 1) High breakdown voltage. (BVCEO = −400V) 2) Low saturation voltage, typically VCE (sat)= −0.2V at IC / IB = −20mA / −2mA. 3) High switching speed, typically tf = 1µs at Ic =100mA. 4) Wide SOA (safe operating area). 5) Complements the 2SA4505. |
| 描述与应用 | 高压开关晶体管 特点 1）高的击穿电压。 （BVCEO=-400V） 2）低饱和电压，通常VCE（sat）=-0.2V IC/ IB=-20mA的/-2MA。 3）高开关速度，通常TF =1μs在IC=100MA。 4）宽安全工作区（SOA）。 5）补充2SA4505 |