Please log in first
Home
Cart0
Inventory:1350 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：2SB1132L
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：06+NOPB
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：B1132L
  • Package：SOT-89/SC-62

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		-40V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		−32V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		-1A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		 150MHz
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		82~390
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage		−500mV/-0.5V
耗散功率Pc
PoWer Dissipation		500mW/0.5W
Description & ApplicationsPNP Silicon epitaxial planar transistor Medium Power Transistor Features Low VCE(sat).
描述与应用PNP硅外延平面晶体管 中等功率晶体管 特点  低VCE（饱和）。

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SB1132L
*Title：
Message：
*Code：