集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | -80V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | −80V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | -1A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 100MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 120~270 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage | -400mV/-0.4V |
耗散功率Pc
PoWer Dissipation | 500mW/0.5W |
| Description & Applications | PNP Silicon epitaxial planar transistor Power Transistor Features 1) High breakdown voltage and high current. 2) Good hFE linearity. 3) Low VCE(sat). 4) Complements to 2SD1863 |
| 描述与应用 | PNP硅外延平面晶体管 功率晶体管 特点 1）高击穿电压和高电流。 2）良好的HFE线性。 3）低VCE（sat）的。 4）补充型2SD1863 |