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Inventory:6400 Min Order：10
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  • Model：2SB1189-R
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+1r04nopb 05+rohs
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：BDR
  • Package：SOT-89/SC-62/MPT

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		-80V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		−80V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		 -700mA/-0.7A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		 100MHz
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		120~390
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage		-400mV/-0.4V
耗散功率Pc
PoWer Dissipation		500mW/0.5W
Description & ApplicationsPNP Silicon epitaxial planar transistor Medium power Transistor Features 1) High breakdown voltage 2) Complements the 2SD1767
描述与应用PNP硅外延平面晶体管 中等功率晶体管 特点 1）高的击穿电压 2）补充2SD1767

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SB1189-R
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