集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 30V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 20V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 50mA |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 1.5GHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 82~180 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | <500mV/0.5V |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 150mW/0.15W |
| Description & Applications | Features •High-Frequency Amplifier Transistor (20V, 50mA, 1.5GHz) •High transition frequency. (Typ. fT = 1.5GHz) •Small rbb’Cc and high gain. (Typ. 6ps) •Small NF. |
| 描述与应用 | 特点 •高频晶体管放大器（20V，50mA时1.5GHz的） •高转换频率（典型值英尺=1.5GHz的） •小RBBCC和高增益。 （6PS典型值） •小NF。 |