集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 20V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 10V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 30mA |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 6.5Ghz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 60~270 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 200mW/0.2W |
| Description & Applications | Features •NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor •UHF Converter, Local Oscillator Applications •High cutoff frequency : fT=6.5GHz typ. •High gain : S21e2=11.5dB typ (f=1GHz). •Small Cob : NF=0.65pF typ |
| 描述与应用 | 特点 •NPN平面外延硅晶体管 •UHF转换器，本地振荡器应用 •高截止频率：：FT =6.5GHZ典型。 •高增益：S21E2=11.5分贝典型值（F =1GHz的）。 •小科夫：NF=0.65pF（典型值） |