集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 20V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 10V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 100mA/0.1A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 5.2GHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 110~200 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 100mW/0.1W |
| Description & Applications | NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor VHF / UHF OSC High-Frequency Amplifier Applications Features · High gain : |S21e|*2 =10.5dB typ (f=1GHz). · High cutoff frequency : fT=5.2GHz typ. · Ultrasmall, slim flat-lead package. (1.4mm×0.8mm×0.6mm) |
| 描述与应用 | NPN平面外延硅晶体管 VHF/ UHF OSC 高频放大器应用 特点 ·高增益：S21E| *2 =10.5分贝典型值（F =1GHz的）。 ·高截止频率：FT =5.2GHz的典型。 ·超小，超薄扁平引线封装。 （1.4毫米×0.8毫米×0.6毫米） |