集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 15V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 12V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 500mA/0.5A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 320MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 270~680 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | 90mV |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 150mW/0.15W |
| Description & Applications | Low frequency transistor Applications For switching For muting Features 1) High current. 2) Low VCE(sat). VCE(sat) ≤ 250mV at IC = 200mA / IB = 10mA |
| 描述与应用 | 低频晶体管 应用 对于开关 对于静音 特点 1）高电流。 2）低VCE（sat）的。 VCE（sat）的≤250mV的IC=200mA的/ IB =10毫安 |