集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 60V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 50V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 1A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 160MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 300~600 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | 150mV/0.15V |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 2W |
| Description & Applications | NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor POWER MINI MOLD DESCRIPTION 2SD1615, 1615A are designed for audio frequency power amplifier and switching application, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES • World Standard Miniature Package • Low VCE (sat) VCE(sat) = 0.15 V • high DC current Gain |
| 描述与应用 | NPN平面外延硅晶体管 POWER迷你模具 说明 2SD1615，1615A音频功放和开关应用而设计的，特别是 混合集成电路。 特点 •世界标准小型封装 •低VCE（sat）的VCE（饱和）=0.15 V •高直流电流增益 |