集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 40V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 32V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 800mA/0.8A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 150MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 120~270 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | 100mV/0.1V |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 200mW/0.2W |
| Description & Applications | Features * Very Low VCE(sat). VCE(sat) = −0.1V(Typ.) （IC / IB= 500ｍA / 50mA） * High current capacity in compact package. * Complements the 2SB1197K. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor |
| 描述与应用 | 特点 *非常低VCE（SAT）。 VCE（饱和）=-0.1V （IC / IB=500mA的/50MA） *高电流容量，在紧凑的封装。 *补充2SB1197K。 结构 外延平面型 NPN硅晶体管 |