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  • Model：2SJ163-Q
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：4MQ
  • Package：SOT-23/SC59

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		65 V
栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage		65 V
漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current		－1.0~－3.0mA
关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage		1.5~3.5V
耗散功率Pd
Power Dissipation		150mW/0.15W
Description & ApplicationsSilicon P-Channel Junction FET 2SJ163 For general switching Complementary to 2SK1103 Features Low ON-resistance Low-noise characteristics
描述与应用硅P沟道结型场效应管 2SJ163 对于一般的切换 互补2SK1103 特点 低导通电阻 低噪声特性

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SJ163-Q
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