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Inventory:38800 Min Order：10
Parameters
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Parameters：

  • Model：2SJ202
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+NOPB2400
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：H13
  • Package：SOT-323/SC70

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-16V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		7V
最大漏极电流Id
Drain Current		-100mA/-0.1A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		23Ω @-1A,-4V
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-1.1--2.1V
耗散功率Pd
Power Dissipation		150mW/0.15W
Description & ApplicationsMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING Directly driven by ICs having a 5V power supply Has low on-state resistance Complementary to 2SK1580
描述与应用MOS场效应晶体管 P沟道MOS FET用于开关 直接驱动5V电源IC 具有低导通电阻 对管是2SK1580

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* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SJ202
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