Home
Cart0
Inventory:0 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：2SJ209
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：07+ROHS 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：H17
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-100V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		16V
最大漏极电流Id
Drain Current		-100mA/-0.1A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		37Ω @-10mA,-10V
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-1.5--2.5V
耗散功率Pd
Power Dissipation		200mW/0.2W
Description & ApplicationsMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING Directly driven by ICs having a 5V power supply Has low on-state resistance
描述与应用MOS场效应晶体管 P沟道MOS FET用于开关 直接驱动5V电源IC 具有低导通电阻

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SJ209
*Title：
Message：
*Code：