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Inventory:3600 Min Order：10
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Parameters：

  • Model：2SK1228
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：4V
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage50V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage10V
最大漏极电流Id Drain Current50mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance27Ω/Ohm @10mA,2.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.5-1.1V
耗散功率Pd Power Dissipation150mW/0.15W
Description & ApplicationsSilicon N-Channel MOS FET For switching Features Silicon N-Channel MOS FET For switching application High-speed switching Wide frequency band Incorporating a built-in gate protection-diode Allowing 2.5V drive
描述与应用硅N沟道MOS FET开关 特性 硅N沟道MOS FET 用于开关应用 高速开关 宽频带 集成了内置栅极保护二极管 允许2.5V驱动

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK1228
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