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  • Model：2SK1273
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：4r07/09nopb 05+
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：NA
  • Package：SOT-89/SC-62

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.24Ω/Ohm @500mA.10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation2W
Description & ApplicationsN-Channel MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING Directly driven by ICs having a 5V power source Has low on-state resisitance Not necessary to consider driving current because of its high input impedance Possible to reduce the number of parts by omitting the bias resistor
描述与应用N沟道MOS FET用于高速开关 直接带动有5V电源IC 具有低导通状态创制 不必考虑驱动电流，因为它的高输入阻抗 能够减少部件的数量通过省略偏置电阻

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK1273
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