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Inventory:1550 Min Order：10
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  • Model：2SK1299
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：K1299
  • Package：TO-252/D-PAK

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage100V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current3A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.25Ω/Ohm @2A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1-2V
耗散功率Pd Power Dissipation20W
Description & ApplicationsSilicon N-Channel MOS FET High speed power switching Features SILICON N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR Low on-state resistance High speed switching 4V gate drive device-can be driven from 5V source Suitable for motor drive,DC-DC converter,power switch and solenoid drive
描述与应用硅N沟道MOS FET 高速功率开关 特性 硅N沟道MOS场效应功率晶体管 低通态电阻 高速开关 4V栅极驱动器可以驱动从5V电源 适用于电机驱动，DC-DC转换器，电源开关和螺线管驱动

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK1299
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