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Inventory:39400 Min Order：10
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  • Model：2SK2109
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：NS
  • Package：SOT-89/SC-62

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current500mA/0.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.41Ω/Ohm @300mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.8-2.0V
耗散功率Pd Power Dissipation2W
Description & ApplicationsMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING The 2SK2109 is a N-channel MOS FET of a vertical type and is a switching element that can be directly driven by the output of an IC operating at 5 V. This product has a low ON resistance and superb switching characteristics and is ideal for driving the actuator, such as motors and DC/DC converters. Features N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING • Low ON resistance • High switching speed • Low parasitic capacitance
描述与应用MOS场效应晶体管 N沟道MOS FET高速开关 2SK2109是一个N沟道MOS FET的垂直型 是一种开关元件，可以直接驱动的输出 IC工作在5 V。 该产品具有低导通电阻和一流的开关 特点，是理想的，如电机驱动致动器 和DC / DC转换器。 特性 N沟道MOS FET高速开关 •低导通电阻 •高开关速度 •低寄生电容

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK2109
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