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  • Model：2SK3084
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：K3084
  • Package：TO-263

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage100V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current30A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.046Ω/Ohm @10A，15V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.8-2.0V
耗散功率Pd Power Dissipation65W
Description & ApplicationsMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING Features Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applications 4 V gate drive Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 40mΩ (typ.) High forward transfer admittance : |Yfs| = 27S (typ.) Low leakage current : IDSS = 100 µA (max) (VDS = 100V) Enhancement−mode
描述与应用MOS场效应晶体管 N-沟道MOS场效应晶体管的开关 特性 斩波稳压器，DC-DC转换器和电机驱动应用 4 V栅极驱动 低漏源导通电阻RDS（ON）=40MΩ（典型值） 高正向转移导纳：|YFS|=27S（典型值） 低漏电流：IDSS= 100μA（最大值）（VDS=100V） 增强型

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK3084
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