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  • Model：2SK3113-Z-E2
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：04+
  • Standard Package：2000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：K3113
  • Package：TO-252/D-PAK

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage600V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage30V
最大漏极电流Id Drain Current2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance3.3Ω/Ohm @1A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage2.5-3.5V
耗散功率Pd Power Dissipation1W
Description & ApplicationsMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING Features SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE Low On-state resistance RDS(on) = 4.4 Ω MAX. (VGS = 10 V, ID = 1.0 A) Low gate charge QG = 9 nC TYP(VDD = 450 V, VGS = 10 V, ID = 2.0 A) Gate voltage rating ±30 V Avalanche capability ratings
描述与应用MOS场效应晶体管 N沟道MOS场效应晶体管 用于高速开关 特性 开关 N-沟道功率MOS FET 工业用途 低导通电阻 RDS（ON）=4.4Ω最大。 （VGS=10 V，ID=1.0 A） 低栅极电荷Qg= 9 NC 典型值（VDD=450 V，VGS=10V，ID= 2.0 A） 门的额定电压±30 V 雪崩能力额定值

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK3113-Z-E2
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