| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 600V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 30V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 2A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 3.3Ω/Ohm @1A,10V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 2.5-3.5V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 1W |
| Description & Applications | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING Features SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE Low On-state resistance RDS(on) = 4.4 Ω MAX. (VGS = 10 V, ID = 1.0 A) Low gate charge QG = 9 nC TYP(VDD = 450 V, VGS = 10 V, ID = 2.0 A) Gate voltage rating ±30 V Avalanche capability ratings |
| 描述与应用 | MOS场效应晶体管 N沟道MOS场效应晶体管 用于高速开关 特性 开关 N-沟道功率MOS FET 工业用途 低导通电阻 RDS（ON）=4.4Ω最大。 （VGS=10 V，ID=1.0 A） 低栅极电荷Qg= 9 NC 典型值（VDD=450 V，VGS=10V，ID= 2.0 A） 门的额定电压±30 V 雪崩能力额定值 |