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Inventory:8000 Min Order：10
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  • Model：2SK3289
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+NOPB2500
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：AN
  • Package：SOT-323/SC-70/CMPAK

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current300mA/0.3A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance1.26Ω/Ohm @500mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1.3-2.3V
耗散功率Pd Power Dissipation400mW/0.4W
Description & ApplicationsSilicon N Channel MOS FET High Speed Switching Features Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching Low on-resistance RDS= 1.26Ω typ(at VGS=10V , ID =150mA) RDS= 2.8Ω typ(at VGS=4V , ID =50mA) 4V gate drive device Small package (CMPAK)
描述与应用硅N沟道MOS FET 高速开关 特性 硅N沟道MOS FET 高速开关 低导通电阻 RDS=1.26Ω（典型值）（VGS= 10V，ID=150毫安） RDS=2.8Ω典型值（VGS=4V，ID=50毫安） 4V栅极驱动器 小型封装（CMPAK）

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK3289
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