| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 10V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 50mA |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 2.8Ω/Ohm @25mA,4V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 0.8-1.8V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 100mW/0.1W |
| Description & Applications | Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching Features Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching Low on-resistance RDS= 1.6 typ (VGS= 4 V , ID = 50 mA) RDS= 2.2 typ(VGS= 2.5 V , ID = 50 mA) 2.5 V gate drive device Small package (CMPAK) |
| 描述与应用 | 硅N沟道MOS场效应管的高速开关 特性 硅N沟道MOS FET 高速开关 低导通电阻 RDS=1.6典型值（VGS=4 V，ID=50毫安） RDS=2.2（典型值）（VGS= 2.5V，ID= 50毫安） 2.5 V门驱动装置 小型封装（CMPAK） |