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  • Model：2SK368-GR
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+nopb
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：KAG
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		100v
栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage		 -100v
漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current		2.6~6.5ma
关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage		 -0.4~-3.5v
耗散功率Pd
Power Dissipation		150mW/0.15W
Description & Applications•Silicon N-Channel Junction FET Audio Frequency and High Voltage Amplifier Applications Constant Current Applications • High breakdown voltage: VGDS = −100 V (min) • High input impedance: IGSS = −1.0 nA (max) (VGS = −80 V) • Small package
描述与应用•硅N沟道结型场效应管 音频频率和高电压放大器的应用 恒流应用 •高击穿，电压：VGDS= -100 V（分钟） •高输入阻抗：IGSS= -1.0 NA（最大值）（VGS=-80 V） •小型封装

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK368-GR
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