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  • Model：2SK601
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：07nopb 05+06NOPB
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：0
  • Package：SOT-89/SC-62

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage80V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current500mA/0.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance2Ω/Ohm @500mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1.5-3.5V
耗散功率Pd Power Dissipation1W
Description & ApplicationsSilicon MOS FETs (Small Signal) Silicon N-Channel MOS FET For switching Features Silicon N-Channel MOS FET For switching Low ON-resistance RDS(on) High-speed switching Allowing to be driven directly by CMOS and TTL Mini-power type package, allowing downsizing of the sets and automatic insertion through the tape/magazine packing
描述与应用硅MOS场效应管（小信号） 硅N沟道MOS FET开关 特性 硅N沟道MOS FET 用于开关 低导通电阻RDS（on） 高速开关 允许直接驱动CMOS和TTL门 小功率型封装，允许瘦身套 通过自动插入磁带/盒包装

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK601
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