Home
Cart0
Inventory:0 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：2SK879-GR
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：12+ROHS 12+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：JG
  • Package：SOT-323/SC70

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		50v
栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage		 -50v
漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current		2.6~6.5ma
关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage		 -0.4~-5v
耗散功率Pd
Power Dissipation		100mW/0.1W
Description & Applications•Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type •General Purpose and Impedance Converter and Condenser Microphone Applications •High breakdown voltage: VGDS = −50 V • High input impedance: IGSS = −1.0 nA (max) (VGS = −30 V) • Low noise: NF = 0.5dB (typ.) (RG = 100 kΩ, f = 120 Hz)
描述与应用•场效应晶体管的硅N沟道结型 •通用和阻抗转换器和 电容式麦克风应用 •高击穿电压：VGDS=-50 V •高输入阻抗：IGSS= -1.0 NA（最大值）（VGS=-30 V） •低噪音：NF=0.5分贝（典型值）（RG=100kΩ的，F =120赫兹）

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK879-GR
*Title：
Message：
*Code：