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Inventory:14200 Min Order：10
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  • Model：3SK227
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：CX
  • Package：SOT-143

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage15V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage8v
最大漏极电流Id Drain Current30mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage-1.5-1/-0-1V
耗散功率Pd Power Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR RF AMPLIFIER FOR FM TUNER AND VHF TV TUNER N-CHANNEL Si DUAL GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD Silicon N-Channel 4-pin MOS FET For VHF amplification Features Low noise-figure (NF) Large power gain PG lMini-type package, allowing downsizing of the sets and automatic insertion through the tape/magazine packing.
描述与应用MOS场效应晶体管 FM调谐器和VHF电视调谐器RF放大器 硅N沟道双栅MOS场效应晶体管 4引脚MINI模具 4针硅N沟道MOS场效应管 对于VHF扩增 特点 低噪声系数（NF） 大的功率增益PG lMini型封装，让瘦身套和自动 通过插入磁带/盒包装

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
3SK227
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