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Inventory:600 Min Order：10
Parameters
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Parameters：

  • Model：3SK235
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：XY
  • Package：SOT-143/MPAK-4

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage12V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage10V
最大漏极电流Id Drain Current35mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage-0.1-1V
耗散功率Pd Power Dissipation150mW/0.15W
Description & ApplicationsSilicon N Channel Dual Gate MOS FET UHF/VHF TV Tuner RF Amplifier • Low voltage operation. • High gain, low noise.
描述与应用硅N沟道双栅MOS FET UHF/ VHF电视调谐器射频放大器 •低电压操作。 •高增益，低噪声

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
3SK235
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