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Inventory:3300 Min Order：10
Parameters
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  • Model：3SK233
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：5 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：XW
  • Package：SOT-143/MPAK-4

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage12V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage10V
最大漏极电流Id Drain Current30mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage-0.7-0.7/0.1-0.8V
耗散功率Pd Power Dissipation150mW/0.15W
Description & ApplicationsSilicon N Channel Dual Gate MOS FET UHF TV Tuner RF Amplifier • Low voltage operation. • Superior cross modulation characteristics.
描述与应用硅N沟道双栅MOS FET UHF电视调谐器射频放大器 •低电压操作。 •高级交叉调制特性

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
3SK233
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