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  • Model：3SK309
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：XV
  • Package：SOT-343/CMPAK–4

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		6V
栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage		-4V
漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current		40mA
关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage		-0.2V -- -1.5V
耗散功率Pd
Power Dissipation		100mW/0.1W
Description & ApplicationsGaAs N Channel Dual Gate MES FET. UHF RF Amplifier. Features: . Capable of low voltage operation (VDS = 1.5 to 3 V) . Excellent low noise characteristics (NF = 1.25 dB typ. at f = 900 MHz) . High power gain (PG = 21.0 dB typ. at f = 900 MHz)
描述与应用砷化镓N沟道双栅MES FET。 UHF射频放大器。 特点： .能低电压工作（VDS= 1.5到3 V） .优越的低噪点特性（NF= 1.25 dB（典型值），在f =900兆赫） .高功率增益（PG=21.0 dB（典型值），在f =900兆赫）

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
3SK309
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