集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 50V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 45V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 100mA/0.1A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 250MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 200~450 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | 200~600 mV |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 330mW/0.33W |
| Description & Applications | NPN Silicon AF Transistors For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage Low noise between 30 Hz and 15 kHz Complementary types: BC856, BC857, BC858 BC859, BC860 (PNP) |
| 描述与应用 | NPN硅晶体管自动对焦 对于AF输入级和驱动器应用 高电流增益 低集电极 - 发射极饱和电压，低管压降 低噪音30 Hz和15千赫之间 互补类型：BC856，BC857，BC858 BC859，BC860（PNP） |