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  • Model：BF2030W
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：10+ROHS 07+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：ND
  • Package：SOT-343/SC70-4

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage8V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage6V
最大漏极电流Id Drain Current10mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.3V
耗散功率Pd Power Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsSilicon N-Channel MOSFET Tetrode • For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz • Operating voltage 5V
描述与应用硅N沟道MOSFET四极管 •低噪声，高增益控制 高达1GHz的输入阶段 •工作电压5V

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
BF2030W
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