集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 30V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 20V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 50mA |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 800-1600MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 40~250 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 300mW/0.3W |
| Description & Applications | NPN 1 GHz wideband transistor FEATURES • Stable oscillator operation • High current gain • Good thermal stability. APPLICATIONS It is primarily intended as a mixer, oscillator and IF amplifier in UHF and VHF tuners. DESCRIPTION Silicon NPN transistor in a plastic SOT323 (S-mini) package. The BF547W uses the same crystal as the SOT23 version, BF547. |
| 描述与应用 | 1 GHz的宽带晶体管NPN 特点 •振荡器运行稳定 •高电流增益 •良好的热稳定性。 应用 它的主要目的是作为一个混频器， UHF和振荡器和IF放大器 甚高频调谐器。 说明 硅NPN晶体管在一个塑料 SOT323封装（S-迷你）。该 BF547W使用相同的晶体作为 SOT23版本，BF547。 |