集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | −30V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | −30V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | −25mA |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 450MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 50 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage | |
耗散功率Pc
PoWer Dissipation | 250mW/0.25W |
| Description & Applications | PNP medium frequency transistor FEATURES • Low current (max. 25 mA) • Low voltage (max. 30 V). APPLICATIONS • RF stages in FM front-ends in common base configuration. |
| 描述与应用 | PNP中频晶体管 特点 •低电流（最大25毫安） •低电压（最大30 V）。 应用 •射频阶段的FM前端常见的基本配置。 |