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  • Model：BSP100
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：
  • Package：SOT-223/SC-73/TO261-4

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current6A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.1Ω/Ohm @2.2A,10v
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1-2.8V
耗散功率Pd Power Dissipation8.3W
Description & ApplicationsN-channel enhancement mode BSP100 TrenchMOS transistor • Trench’ technology VDSS = 30 V • Low on-state resistance • Fast switching ID = 6 A • High thermal cycling performance • Low thermal resistance
描述与应用N沟道增强模式BSP100的TrenchMOS晶体管 •'战壕'技术VDSS= 30 V •低通态电阻 •快速切换ID=6 •高的热循环性能 •低热阻

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
BSP100
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