集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | −90V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | −80V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | -2A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 100MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 100~300 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage | −500mV/-0.5V |
耗散功率Pc
PoWer Dissipation | 1.4W |
| Description & Applications | PNP medium power transistors FEATURES • High current (max. 1 A) • Low voltage (max. 80 V). APPLICATIONS • Telephony and general industrial applications • Thick and thin-film circuits. |
| 描述与应用 | PNP中等功率晶体管 特点 •高电流（最大1 A） •低电压（最大80 V）。 应用 •电话和一般工业应用 •厚薄膜电路。 |