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  • Model：BST120
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：LM
  • Package：SOT-89/SC-62

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-60V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		20V
最大漏极电流Id
Drain Current		-0.3A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		6Ω @-200mA,-10V
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-1.5--3.5V
耗散功率Pd
Power Dissipation		1W
Description & ApplicationsP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL D-MOS TRANSISTOR very low Ron direct interface to C-MOS high-speed switching no second breakdown
描述与应用P-沟道增强型垂直D-MOS晶体管 非常低罗恩 C-MOS直接接口 高速开关 无二次击穿

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
BST120
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