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Inventory:2280 Min Order：100
Parameters
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Parameters：

  • Model：ECH8302-TL-E
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ROHS
  • Standard Package：8000
  • Min Order：100
  • Mark/silk print/code/type：JB
  • Package：ECH8

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-30V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		20V
最大漏极电流Id
Drain Current		-7A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		48mΩ@ VGS = -4V, ID = -2A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-1~-2.4V
耗散功率Pd
Power Dissipation		1.6W
Description & ApplicationsP-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance. • 4V drive.
描述与应用P-沟道硅MOSFET 通用开关设备应用 特点 •低导通电阻。 •4V驱动器。

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
ECH8302-TL-E
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