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  • Model：FDG327N
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：01+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：27
  • Package：SOT-363/SC70-6/TSSOP6/SC-88

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流Id Drain Current1.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance140mΩ@ VGS = 1.8V, ID =1.2A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.4~1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation420mW/0.42W
Description & Applications20V N-Channel Power Trench MOSFET General Description This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's advanced Power Trench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. These devices are well suited for portable electronics applications. Applications • Load switch • Power management • DC/DC converter Features Fast switching speed Low gate charge High performance trench technology for extremely low RDS(ON) High power and current handling capability.
描述与应用20V N沟道功率沟槽MOSFET 概述 此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的功率沟槽进程，已特别是针对减少通态电阻，同时保持出色的开关性能低栅极电荷。这些器件非常适合用于便携式电子产品应用。 应用 •负荷开关 •电源管理 •DC/ DC转换器 特点 开关速度快 低栅极电荷 高性能沟道技术极低的RDS（ON） 高功率和电流处理能力。

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
FDG327N
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