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Inventory:2700 Min Order：10
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Parameters：

  • Model：FDV301N
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+ROHS3K
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：301
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 25V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 8V
最大漏极电流Id Drain Current 220mA/0.22A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 3.1Ω/Ohm @400mA,4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1.2V
耗散功率Pd Power Dissipation 350mW/0.35W
Description & Applications Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits. VGS(th) < 1.5V. Gate-Source Zener for ESD ruggedness. >6kV Human Body Model Replace multiple NPN digital transistors with one DMOS FET
描述与应用 非常低的水平栅极驱动要求可直接 操作在3V电路。 VGS（TH<1.5。 门源齐纳ESD坚固。 >6kV人体模型 更换多个NPN数字晶体管与一DMOS FET

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
FDV301N
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