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Inventory:1400 Min Order：10
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  • Model：HAT1059C
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：59
  • Package：SOT-163/SOT23-6/TSOP-6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-12V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		8V
最大漏极电流Id
Drain Current		-3A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		0.071Ω @-1.5A,-2.5V
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.2--1V
耗散功率Pd
Power Dissipation		650mW/0.65W
Description & ApplicationsSilicon P Channel Power MOS FET Power Switching Low on-resistance RDS(on) = 52 mΩ typ (at VGS= –4.5 V, ID= –1.5 A) RDS(on)= 71 mΩ typ (at VGS= –2.5 V, ID= –1.5 A) RDS(on) = 98 mΩ typ (at VGS = –1.8 V, ID= –1.5 A) Capable of 1.8 V gate drive Small Package: CMFPAK-6
描述与应用硅P通道功率MOS FET 电源开关 低导通电阻 RDS（ON）=52MΩ典型值（VGS= -4.5 V，ID=-1.5“） RDS（ON）= 71MΩ典型值（VGS= -2.5 V，ID=-1.5“） RDS（ON）= 98MΩ典型值（VGS= -1.8 V，ID=-1.5“） 能够为1.8V栅极驱动 小包装：CMFPAK-6

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
HAT1059C
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