最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage | -12V |
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage | 8V |
最大漏极电流Id
Drain Current | -3A |
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance | 0.071Ω @-1.5A,-2.5V |
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage | -0.2--1V |
耗散功率Pd
Power Dissipation | 650mW/0.65W |
| Description & Applications | Silicon P Channel Power MOS FET Power Switching Low on-resistance RDS(on) = 52 mΩ typ (at VGS= –4.5 V, ID= –1.5 A) RDS(on)= 71 mΩ typ (at VGS= –2.5 V, ID= –1.5 A) RDS(on) = 98 mΩ typ (at VGS = –1.8 V, ID= –1.5 A) Capable of 1.8 V gate drive Small Package: CMFPAK-6 |
| 描述与应用 | 硅P通道功率MOS FET 电源开关 低导通电阻 RDS（ON）=52MΩ典型值（VGS= -4.5 V，ID=-1.5“） RDS（ON）= 71MΩ典型值（VGS= -2.5 V，ID=-1.5“） RDS（ON）= 98MΩ典型值（VGS= -1.8 V，ID=-1.5“） 能够为1.8V栅极驱动 小包装：CMFPAK-6 |