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Inventory:1600 Min Order：10
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Parameters：

  • Model：HM5551
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：04+
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：HM5551
  • Package：SOT-89

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		180V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		160V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		600mA/0.6A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		300MHz
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		80~250
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage		200mV/0.2V
耗散功率Pc
Power Dissipation		1.2W
Description & ApplicationsNPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR The HM5551 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltages. High collector-emitter breakdown voltage. VCEO>160V(@IC=1mA) Complements to PNP type HM5401
描述与应用NPN外延平面晶体管 HM5551是专为一般用途的应用要求 高击穿电压。 高集电极 - 发射极击穿电压。 VCEO>160V（@ IC=1毫安）， 互补PNP型HM5401

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* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
HM5551
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