集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 180V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 160V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 600mA/0.6A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 300MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 80~250 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | 200mV/0.2V |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 1.2W |
| Description & Applications | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR The HM5551 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltages. High collector-emitter breakdown voltage. VCEO>160V(@IC=1mA) Complements to PNP type HM5401 |
| 描述与应用 | NPN外延平面晶体管 HM5551是专为一般用途的应用要求 高击穿电压。 高集电极 - 发射极击穿电压。 VCEO>160V（@ IC=1毫安）， 互补PNP型HM5401 |