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Inventory:9500 Min Order：10
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  • Model：HMBT1815GLT1
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：C4G
  • Package：SOT-23/SC-59

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		60V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		50V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		150mA/0.15A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		80MHz
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		200~400
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage		250mV/0.25V
耗散功率Pc
Power Dissipation		225mW/0.225W
Description & ApplicationsNPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR The HMBT1815 is designed for use in driver stage of AF amplifier and general purpose amplification.
描述与应用NPN外延平面晶体管 专为通用开关和放大器应用。

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
HMBT1815GLT1
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