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Inventory:3800 Min Order：10
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  • Model：HM879
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：HM879
  • Package：SOT-89

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		30V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		10V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		3A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		200MHz
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		140~400
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage		400mV/0.4V
耗散功率Pc
Power Dissipation		1W
Description & ApplicationsSILICON NPN EPITAXIAL TYPE TRANSISTOR For 1.5V And 3V Electronic Flash Use. Charger-up time is about 1 mS faster than of a germanium transistor. Small saturation voltage can bring less power dissipation and flashing times.
描述与应用NPN外延型晶体管 对于1.5V和3V电子闪光灯使用。 充电时间是约1毫秒的速度比锗晶体管。 小饱和电压可以带来更少的功耗和闪烁时间。

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
HM879
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