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  • Model：IRF5803TR
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：G6
  • Package：SOT-163/SOT23-6/TSOP-6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-40V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage
最大漏极电流Id
Drain Current		-3.4A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		0.112Ω @-3.4A,-10V
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-1.0--3V
耗散功率Pd
Power Dissipation		2W
Description & ApplicationsUltra Low On-Resistance P-Channel MOSFET Surface Mount Available in Tape & Reel Low Gate Charge
描述与应用超低导通电阻 P沟道MOSFET 表面贴装 可在磁带和卷轴 低栅极电荷

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
IRF5803TR
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