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Inventory:5500 Min Order：10
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  • Model：NTHS5445T1
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：A5
  • Package：1206-8

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-8V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		-8V
最大漏极电流Id
Drain Current		-5.2A/-0.2A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		62mΩ@ VGS = -1.8V, ID = -2.0A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.45V
耗散功率Pd
Power Dissipation		1.3W
Description & ApplicationsPower MOSFET P-Channel Chip FET Features • Low RDS(on) • Higher Efficiency Extending Battery Life • Logic Level Gate Drive • Miniature ChipFET Surface Mount Package Applications • Power Management in Portable and Battery–Powered Products; i.e.,Cellular and Cordless Telephones and PCMCIA Cards
描述与应用功率MOSFET的P-通道芯片FET 特点 •低的RDS（on） •更高的效率延长电池寿命 •逻辑电平栅极驱动器 •微型ChipFET表面贴装封装 应用 •电源管理在便携式和电池供电的产品，也就是说，蜂窝电话和无绳电话和PCMCIA卡

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
NTHS5445T1
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