集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 50V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 50V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 2A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 100MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 300 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | 70mV~310mV |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 1W |
| Description & Applications | 50 V, 2A NPN low VCEsat (BISS) transistor FEATURES • SOT89 (SC-62) package • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat • High collector current capability: IC and ICM • Higher efficiency leading to less heat generation • Reduced printed-circuit board requirements. APPLICATIONS • Power management – DC/DC converters – Supply line switching – Battery charger – LCD backlighting. • Peripheral drivers – Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs). – Inductive load driver (e.g. relays, buzzers and motors). DESCRIPTION NPN low VCEsat transistor in a SOT89 plastic package. |
| 描述与应用 | 50 V，2A NPN低VCEsat（BISS）晶体管 特点 •SOT89（SC-62）封装 •低集电极 - 发射极饱和电压VCE监测 •高集电极电流能力：IC和ICM •更高的效率，导致产生的热量少 •减少印刷电路板的要求。 应用 •电源管理 - DC/ DC转换器 - 电源线开关 - 电池充电器 - LCD背光。 •外设驱动程序 - 驱动器，在低电源电压应用（如灯 和LED）。 - 感性负载驱动器（如继电器， 蜂鸣器和电机）。 说明 NPN低VCEsat 晶体管塑料封装为SOT89。 |