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Inventory:100 Min Order：10
Parameters
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Parameters：

  • Model：PH5330E
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：04+ 05+
  • Standard Package：1500
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：5330E
  • Package：SOT-669

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current80A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage
耗散功率Pd Power Dissipation62.5W
Description & ApplicationsN-channel TrenchMOS™ logic level FET
描述与应用N沟道的TrenchMOS™逻辑电平FET

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
PH5330E
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